檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "周賢鎧".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="郭東昊"
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜,如GaN與InGaN等薄膜,濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶,靶材中的Ga含量需小於GaN…
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Meeting the increasing demand for cleaner and cheaper energy sources has recently lead to unprecede…
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Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) semiconductor compound showing record photovoltaic conversion efficiencies nea…